Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 903-4484
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHG33N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.8.979
Auf Lager
- Zusätzlich 454 Einheit(en) mit Versand ab 03. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.8.98 |
| 10 - 24 | CHF.8.48 |
| 25 - 49 | CHF.7.63 |
| 50 - 99 | CHF.7.19 |
| 100 + | CHF.6.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 903-4484
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHG33N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 98mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 103nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie EF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 98mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 103nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 20.82mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET mit Fast Diode, EF-Serie, Vishay Semiconductor
Geringere Umkehr-Wiederherstellungszeit, Umkehr-Erholungsladung und Sperrverzögerungsstrom
Niedriger Gütefaktor (FOM)
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Erhöhte Widerstandsfähigkeit aufgrund der geringen Umkehr-Erholungsladungen
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-247
- Vishay SiHG052N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 48 A 278 W, 3-Pin TO-247
- Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 70 A 520 W, 3-Pin TO-247
- Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 8.4 A 156 W, 3-Pin TO-247
- Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 33 W, 3-Pin TO-220
- Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 8.4 A 33 W, 3-Pin TO-220
- Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 31 A 278 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SiHP052N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 48 A 278 W, 3-Pin TO-220