Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 57 A 200 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4775
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710PBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 1.434 | CHF 71.51 |
| 100 - 200 | CHF 1.141 | CHF 57.22 |
| 250 - 450 | CHF 1.071 | CHF 53.63 |
| 500 - 950 | CHF 1.00 | CHF 50.05 |
| 1000 + | CHF 0.929 | CHF 46.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4775
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 130nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.54mm | |
| Breite | 4.69mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 130nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.54mm | ||
Breite 4.69mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 8.77mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 57A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRF3710PBF
Dieser MOSFET ist ein langlebiger Leistungshalbleiter, der in verschiedenen elektronischen Anwendungen unverzichtbar ist. Es ist auf hohe Effizienz ausgelegt und zeichnet sich durch geringen Widerstand und hervorragende thermische Eigenschaften aus, was es für moderne Elektronik in Bereichen wie Automatisierung und Mechanik wichtig macht.
Eigenschaften und Vorteile
• Verwendet HEXFET-Technologie für niedrigen On-Widerstand
• Bewältigt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 57 A
• Funktioniert effektiv innerhalb einer Drain-Source-Spannung von 100 V
• Ermöglicht schnelles Umschalten zur Verbesserung der Gesamtleistung
• Ausgelegt für den Betrieb bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von +175°C
• Optimiert für Wärmemanagement mit minimaler Wärmeentwicklung
Anwendungsbereich
• Einsatz in Kfz-Antriebssystemen für effizientes Energiemanagement
• Geeignet für Stromversorgungsschaltungen zur Verbesserung der Energieeffizienz
• Einsetzbar in Motorsteuerungssystemen für Hochstromszenarien
• Effektiv in der industriellen Automatisierung für konstante Leistung unter Last
Welche Bedeutung hat der niedrige On-Widerstand in diesem MOSFET?
Ein niedriger Durchlasswiderstand verringert die Leistungsverluste und erhöht den Wirkungsgrad, was für Hochleistungsanwendungen entscheidend ist.
Kann das Produkt in Umgebungen mit hohen Temperaturen verwendet werden?
Ja, er arbeitet effektiv bis zu einer maximalen Sperrschichttemperatur von +175°C und eignet sich für anspruchsvolle Anwendungen.
Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf den Betrieb aus?
Die Gate-Schwellenspannung von 2V bis 4V gewährleistet ein effektives Schalten und ermöglicht eine präzise Steuerung in verschiedenen Schaltungsdesigns.
Welche Art der Befestigung ist für dieses Gerät geeignet?
Dieser MOSFET ist für die Durchsteckmontage vorgesehen, was eine sichere Installation in zahlreichen Anwendungen ermöglicht.
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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