IXYS Einfach HiperFET, Polar N-Kanal, Frontplattenmontage MOSFET 150 V Erweiterung / 150 A 680 W, 4-Pin SOT-227

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RS Best.-Nr.:
920-0757
Herst. Teile-Nr.:
IXFN180N15P
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Transistor-Konfiguration

Einfach

Serie

HiperFET, Polar

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Frontplattenmontage

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

150 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

150 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

680 W

Pinanzahl

4

Gehäusegröße

SOT-227

Höhe

9.6 mm

Länge

38.23 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

11 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-20 V, +20 V

Maximale Betriebstemperatur

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

240 nC

Breite

25.42 mm

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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