DiodesZetex Gemeinsamer Drain N-Kanal 2 MOSFET 24 V Erweiterung / 6 A 1.45 W, 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 921-1066
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2023UCB4-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.10.50
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 17. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | CHF 0.525 | CHF 10.48 |
| 100 - 480 | CHF 0.343 | CHF 6.83 |
| 500 - 980 | CHF 0.323 | CHF 6.48 |
| 1000 - 2480 | CHF 0.273 | CHF 5.37 |
| 2500 + | CHF 0.253 | CHF 5.11 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 921-1066
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2023UCB4-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 24V | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.45W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12, -12V | |
| Transistor-Konfiguration | Gemeinsamer Drain | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.8mm | |
| Höhe | 0.24mm | |
| Breite | 1.8mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 24V | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.45W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12, -12V | ||
Transistor-Konfiguration Gemeinsamer Drain | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.8mm | ||
Höhe 0.24mm | ||
Breite 1.8mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex Gemeinsamer Drain Typ N-Kanal 2 MOSFET 24 V Erweiterung / 6 A 1.45 W, 4-Pin
- Taiwan Semiconductor Gemeinsamer Drain TSM6968D Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 6.5 A 1.5 W, 8-Pin
- onsemi Gemeinsamer Drain PowerTrench Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 9 A, 5-Pin TO-252
- Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 52 A 69.4 W,
- Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 60 A 69.4 W,
- Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 3, Oberfläche MOSFET 200 V Erweiterung / 30 A 60 W, 10-Pin
- DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET DMW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Erweiterung / 44.5 A,
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.5 A 1.45 W, 3-Pin SOT-23