Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 100MHz, 32bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, PBGA 119-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 181-7452
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1062G30-10BGXI
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 84 + | CHF.47.555 | CHF.3’994.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 181-7452
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1062G30-10BGXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 16MBit | |
| Organisation | 512 KB x 16 bit | |
| Anzahl der Wörter | 512k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 32bit | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Adressbusbreite | 16bit | |
| Taktfrequenz | 100MHz | |
| Low Power | Ja | |
| Timing Typ | Asymmetrisch | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | PBGA | |
| Pinanzahl | 119 | |
| Abmessungen | 22 x 14 x 1.8mm | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Länge | 22mm | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,2 V | |
| Breite | 14mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 16MBit | ||
Organisation 512 KB x 16 bit | ||
Anzahl der Wörter 512k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 32bit | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Adressbusbreite 16bit | ||
Taktfrequenz 100MHz | ||
Low Power Ja | ||
Timing Typ Asymmetrisch | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße PBGA | ||
Pinanzahl 119 | ||
Abmessungen 22 x 14 x 1.8mm | ||
Höhe 1.8mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Länge 22mm | ||
Arbeitsspannnung min. 2,2 V | ||
Breite 14mm | ||
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns / 15 ns
Integrierter Fehlerkorrekturcode (ECC) für Einzelbit-Fehlerkorrektur
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
ICC = 90 mA typisch
ISB2 = 20 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V
1,0-V-Datenspeicherung
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)
ERR-Stift zur Anzeige der 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur
Erhältlich in Pb-freiem 119-Ball-PBGA-Gehäuse (Kugelgitter Array)
tAA = 10 ns / 15 ns
Integrierter Fehlerkorrekturcode (ECC) für Einzelbit-Fehlerkorrektur
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
ICC = 90 mA typisch
ISB2 = 20 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V
1,0-V-Datenspeicherung
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)
ERR-Stift zur Anzeige der 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur
Erhältlich in Pb-freiem 119-Ball-PBGA-Gehäuse (Kugelgitter Array)
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