Infineon 256kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 32k 100MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP 28-Pin

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RS Best.-Nr.:
188-5340
Herst. Teile-Nr.:
CY7C199D-10VXI
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

256kbit

Organisation

32 K x 8 bit

Anzahl der Wörter

32k

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Zugriffszeit max.

10ns

Adressbusbreite

8bit

Taktfrequenz

100MHz

Low Power

Ja

Timing Typ

Asymmetrisch

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

TSOP

Pinanzahl

28

Abmessungen

11.9 x 8.1 x 1.15mm

Höhe

1.15mm

Arbeitsspannnung max.

5,5 V

Länge

11.9mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Breite

8.1mm

Arbeitsspannnung min.

4,5 V

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Ursprungsland:
US
Temperaturbereich
-40 °C bis 85 °C.
Stift und Funktion kompatibel mit CY7C190C.
Hohe Geschwindigkeit
TAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 80 mA bei 10 ns
Geringe CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data Ret
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit/Leistung
Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
Erhältlich in Pb-freien 28-poligen 300-mil-breiten geformten kleinen Outline-J-Leitergehäusen (SOJ) und 28-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP) I-Gehäusen

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