Cypress Semiconductor 256kbit SRAM-Speicherbaustein 32k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, SOJ 85-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 193-8471
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C199D-10VXIT
- Marke:
- Cypress Semiconductor
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- 193-8471
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- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 256kbit | |
| Organisation | 32 K x 8 bit | |
| Anzahl der Wörter | 32k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Adressbusbreite | 8bit | |
| Taktfrequenz | 1MHz | |
| Timing Typ | Asymmetrisch | |
| Montage-Typ | THT | |
| Gehäusegröße | SOJ | |
| Pinanzahl | 85 | |
| Abmessungen | 11.9 x 8.1 x 1mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 6 V | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 8.1mm | |
| Arbeitsspannnung min. | –0,5 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Länge | 11.9mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 256kbit | ||
Organisation 32 K x 8 bit | ||
Anzahl der Wörter 32k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Adressbusbreite 8bit | ||
Taktfrequenz 1MHz | ||
Timing Typ Asymmetrisch | ||
Montage-Typ THT | ||
Gehäusegröße SOJ | ||
Pinanzahl 85 | ||
Abmessungen 11.9 x 8.1 x 1mm | ||
Arbeitsspannnung max. 6 V | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 8.1mm | ||
Arbeitsspannnung min. –0,5 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Länge 11.9mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Temperaturbereich
-40 °C bis 85 °C.
Stift und Funktion kompatibel mit CY7C190C.
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 80 mA bei 10 ns
Geringe CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data Ret
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit/Leistung
Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
Erhältlich in Pb-freien 28-poligen 300-mil-breiten geformten kleinen Outline-J-Leitergehäusen (SOJ) und 28-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP) I-Gehäusen
-40 °C bis 85 °C.
Stift und Funktion kompatibel mit CY7C190C.
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 80 mA bei 10 ns
Geringe CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data Ret
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit/Leistung
Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
Erhältlich in Pb-freien 28-poligen 300-mil-breiten geformten kleinen Outline-J-Leitergehäusen (SOJ) und 28-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP) I-Gehäusen
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