Renesas Electronics 256kbit SRAM-Speicherbaustein 32K, 8bit / Wort
- RS Best.-Nr.:
- 217-7885
- Herst. Teile-Nr.:
- 71256SA15YG
- Marke:
- Renesas Electronics
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 217-7885
- Herst. Teile-Nr.:
- 71256SA15YG
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 256kbit | |
| Organisation | 32 K x 8 | |
| Anzahl der Wörter | 32K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 12ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 256kbit | ||
Organisation 32 K x 8 | ||
Anzahl der Wörter 32K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 12ns | ||
Der Renesas Electronics 71256SA 5 V CMOS SRAM ist als 32K x 8 organisiert. Alle bidirektionalen Ein- und Ausgänge des 71256SA sind TTL-kompatibel und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 5-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.
Gewerblich (0 °C bis 70 °C) und industriell (-40 °C bis 85 °C) Temperaturoptionen
Gleiche Zugangs- und Zykluszeiten - Gewerbe und Industrie: 12/15/20/25 ns
Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel
Geringer Stromverbrauch über Chip-Abwahl
Gleiche Zugangs- und Zykluszeiten - Gewerbe und Industrie: 12/15/20/25 ns
Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel
Geringer Stromverbrauch über Chip-Abwahl
Verwandte Links
- Renesas Electronics 256kbit SRAM-Speicherbaustein 32K, 8bit / Wort
- Cypress Semiconductor 256kbit SRAM-Speicherbaustein 32k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, SOJ 85-Pin
- Renesas Electronics 1MB SRAM 32k, 8bit / Wort
- Infineon 256kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 32k 100MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP 28-Pin
- Renesas Electronics 16bit SRAM-Speicherbaustein, 16bit / Wort
- ISSI 256kbit LowPower SRAM 32k, 8bit / Wort 15bit, TSOP 28-Pin
- Infineon 256kbit LowPower SRAM 32k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ 28-Pin
- Renesas Electronics 1MBit SRAM 128k, 8bit / Wort
