Renesas Electronics 1 MB SRAM 64K, 16 / Wort 48-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 264-1295
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V016SA12PHG8
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 1500 + | CHF.2.05 | CHF.3'080.00 |
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- RS Best.-Nr.:
- 264-1295
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V016SA12PHG8
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 1MB | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Anzahl der Wörter | 64K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 20ns | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Pinanzahl | 48 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Breite | 10.16mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | IDT71V016 | |
| Länge | 18.41mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Versorgungsstrom | 170mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 1MB | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Anzahl der Wörter 64K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 20ns | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Pinanzahl 48 | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Breite 10.16mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie IDT71V016 | ||
Länge 18.41mm | ||
Höhe 1mm | ||
Versorgungsstrom 170mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der statische Hochgeschwindigkeits-RAM von Renesas Electronics ist als 64 K x 16 organisiert. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen.
Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
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