Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 120 A 313 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 258-3786P
  • Herst. Teile-Nr. IPB020N10N5LFATMA1
Zwischensumme 1 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
CHF.6.79
CHF.6.79/Stück
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Vishay SIHK N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 114 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
  • RS Best.-Nr. 268-8316P
  • Herst. Teile-Nr. SIHK185N60EF-T1GE3
Zwischensumme 2 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
CHF.9.84
CHF.4.92/Stück
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Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 244-8544P
  • Herst. Teile-Nr. IPD050N10N5ATMA1
Zwischensumme 2 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
CHF.6.58
CHF.3.29/Stück
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Vishay Doppelt TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 4 A 23.1 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
  • RS Best.-Nr. 228-2925P
  • Herst. Teile-Nr. SiS590DN-T1-GE3
Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
CHF.10.09
CHF.1.009/Stück
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Infineon StrongIRFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 240 A 290 W, 7-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 820-8861P
  • Herst. Teile-Nr. IRFS7534TRL7PP
Zwischensumme 2 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
CHF.9.58
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Vishay SQJ142ELP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 175 A 190 W, 4-Pin SO-8
  • RS Best.-Nr. 210-5033P
  • Herst. Teile-Nr. SQJ142ELP-T1_GE3
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onsemi NTMT190N N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 162 W, 4-Pin PQFN
  • RS Best.-Nr. 221-6740P
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Infineon Doppelt OptiMOS N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 100 V Erweiterung / 20 A 43 W, 8-Pin TDSON
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STMicroelectronics Leiterplattenmontage Schottky-Diode Schottky-Diode, 30 V / 300 mA 0201
  • RS Best.-Nr. 239-6244P
  • Herst. Teile-Nr. BAT30F4
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CHF.2.595
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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 433 A 188 W, 8-Pin TDSON
  • RS Best.-Nr. 236-3645P
  • Herst. Teile-Nr. BSC005N03LS5IATMA1
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onsemi N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 165 A 292 W, 8-Pin DFN
  • RS Best.-Nr. 229-6505P
  • Herst. Teile-Nr. NVMTS4D3N15MC
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Nexperia N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 1200 V, 4-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 219-457P
  • Herst. Teile-Nr. NSF060120L4A0Q
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Infineon IMW N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 244-2924P
  • Herst. Teile-Nr. IMW120R090M1HXKSA1
Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Stange)
CHF.8.53
CHF.8.53/Stück
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onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 65 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 802-2976P
  • Herst. Teile-Nr. FDD8453LZ
Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
CHF.14.09
CHF.1.409/Stück
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Microchip MSC025SMA120B4 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 12 V / 140 A 1.6 W, 4-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 241-9251P
  • Herst. Teile-Nr. MSC025SMA120B4
Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Stange)
CHF.34.07
CHF.34.07/Stück
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onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 4 A 1.6 W, 6-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 739-0186P
  • Herst. Teile-Nr. FDC658AP
Zwischensumme 5 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
CHF.3.73
CHF.0.746/Stück
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STMicroelectronics TRIAC 25 A TO-263 Oberfläche Gate Trigger 1.3 V 50 mA, 1200 V 3-Pin
  • RS Best.-Nr. 829-1510P
  • Herst. Teile-Nr. T2550-12G
Zwischensumme 2 Stück (geliefert in Stange)
CHF.6.09
CHF.3.045/Stück
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Infineon IMW N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 248-6672P
  • Herst. Teile-Nr. IMW120R040M1HXKSA1
Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Stange)
CHF.12.05
CHF.12.05/Stück
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onsemi IGBT-Modul 118 W Q0PACK – Gehäuse 180AJ Oberfläche
  • RS Best.-Nr. 245-6982P
  • Herst. Teile-Nr. NXH40B120MNQ0SNG
Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Schale)
CHF.84.35
CHF.84.35/Stück
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onsemi Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip Oberfläche 47 V 5 % / 500 mW max, SOD-123 2-Pin
  • RS Best.-Nr. 545-3257P
  • Herst. Teile-Nr. MMSZ5261BT1G
Zwischensumme 20 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
CHF.0.70
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