Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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Vorübergehend ausverkauft
onsemi NDS332 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 166-1811
  • Herst. Teile-Nr. NDS332P
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.378.00
CHF.0.126/Stück
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Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 24 A 43 W, 8-Pin PG-TDSON-8
  • RS Best.-Nr. 349-151
  • Herst. Teile-Nr. ISC320N12LM6ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.13.50
CHF.1.35/Stück
Auf Lager
Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 200 A 169 W, 8-Pin PG-TDSON-8-43
  • RS Best.-Nr. 349-165
  • Herst. Teile-Nr. IAUCN08S7N019ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.18.00
CHF.3.60/Stück
Auf Lager
Infineon IMB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 8.1 A 80 W, 7-Pin PG-TO263-7
  • RS Best.-Nr. 349-107
  • Herst. Teile-Nr. IMBG120R234M2HXTMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.9.41
CHF.4.705/Stück
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Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 34 A 267 W, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14
  • RS Best.-Nr. 349-113
  • Herst. Teile-Nr. IMYH200R075M1HXKSA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.18.85
CHF.18.85/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 81 A 326 W, 7-Pin PG-TO263-7
  • RS Best.-Nr. 349-206
  • Herst. Teile-Nr. AIMBG75R020M1HXTMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.19.36
CHF.19.36/Stück
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Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37 A 165 W, 8-Pin PG-LHSOF-4
  • RS Best.-Nr. 349-060
  • Herst. Teile-Nr. IMTA65R060M2HXTMA1
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CHF.7.04
CHF.7.04/Stück
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Infineon EasyPACK Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 65 A 20 mW Einschub
  • RS Best.-Nr. 349-248
  • Herst. Teile-Nr. F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.125.23
CHF.125.23/Stück
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Infineon IPQ Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungsbauelement Erweiterung 60 V / 90 A 416 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
  • RS Best.-Nr. 349-202
  • Herst. Teile-Nr. IPQC60T022S7AXTMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.14.23
CHF.14.23/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 390 A 206 W, 10-Pin PG-LHDSO-10-3
  • RS Best.-Nr. 349-163
  • Herst. Teile-Nr. IAUCN04S6N007TATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.20.10
CHF.4.02/Stück
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Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 245 W, 8-Pin PG-HSOF-8
  • RS Best.-Nr. 349-261
  • Herst. Teile-Nr. IPT60T040S7XTMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.8.93
CHF.8.93/Stück
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onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.4 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 166-1717
  • Herst. Teile-Nr. FDN304PZ
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.537.00
CHF.0.179/Stück
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Infineon F4-17MR12W1M1H_B76 Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 45 A 20 mW EasyPACK
  • RS Best.-Nr. 349-252
  • Herst. Teile-Nr. F417MR12W1M1HB76BPSA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.86.72
CHF.86.72/Stück
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Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 26 A 88 W, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
  • RS Best.-Nr. 349-157
  • Herst. Teile-Nr. ISZ520N20NM6ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.12.30
CHF.2.46/Stück
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Semikron Danfoss SEMITOP, Schraubanschlussklemme SiC-Leistungsmodul 1200 V / 19 A SEMITOP2
  • RS Best.-Nr. 351-842
  • Herst. Teile-Nr. SK20KDD12SCp
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.84.86
CHF.84.86/Stück
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Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 179 A 88 W, 8-Pin PG-TDSON-8-34
  • RS Best.-Nr. 349-287
  • Herst. Teile-Nr. IAUCN04S7L014ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.12.24
CHF.1.224/Stück
Auf Lager
Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 64 W, 3-Pin PG-TO252-3
  • RS Best.-Nr. 349-313
  • Herst. Teile-Nr. IPD60R600CM8XTMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.10.22
CHF.1.022/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon ISG Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 100 V / 139 A 167 W, 10-Pin PG-WHITFN-10-1
  • RS Best.-Nr. 349-152
  • Herst. Teile-Nr. ISG0616N10NM5HSCATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.15.72
CHF.7.86/Stück
Auf Lager
Infineon IPQ Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungsbauelement Erweiterung 600 V / 90 A 416 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
  • RS Best.-Nr. 349-255
  • Herst. Teile-Nr. IPQC60T022S7XTMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.7.36
CHF.7.36/Stück
Auf Lager
Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 70 A 273 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U02
  • RS Best.-Nr. 349-115
  • Herst. Teile-Nr. IMZA120R030M1HXKSA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.15.96
CHF.15.96/Stück
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