Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

55736 Produkte angezeigt für Diskrete Halbleiter

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Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 165 A 148 W, 8-Pin PG-TDSON-8-34
  • RS Best.-Nr. 349-167
  • Herst. Teile-Nr. IAUCN08S7N024ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.16.86
CHF.3.372/Stück
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Infineon IMB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 189 A 800 W, 7-Pin PG-TO263-7
  • RS Best.-Nr. 349-092
  • Herst. Teile-Nr. IMBG120R008M2HXTMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.32.50
CHF.32.50/Stück
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Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 26 A 217 W, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14
  • RS Best.-Nr. 349-114
  • Herst. Teile-Nr. IMYH200R100M1HXKSA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.16.37
CHF.16.37/Stück
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Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 26 A 138 W, 8-Pin PG-HSOF-8
  • RS Best.-Nr. 349-054
  • Herst. Teile-Nr. IMT65R107M1HXUMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.13.22
CHF.6.61/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Nexperia Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 170 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 166-0073
  • Herst. Teile-Nr. PSMN8R7-80PS,127
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)
CHF.1'109.00
CHF.1.109/Stück
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Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 98 A 158 W, 3-Pin PG-TO220-3
  • RS Best.-Nr. 349-117
  • Herst. Teile-Nr. IPP073N13NM6AKSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
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Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 120 V / 331 A 395 W, 8-Pin PG-HSOG-8
  • RS Best.-Nr. 349-135
  • Herst. Teile-Nr. IPTG017N12NM6ATMA1
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Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 31 A 169 W, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7
  • RS Best.-Nr. 349-378
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CHF.8.71/Stück
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Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 62 A 94 W, 8-Pin PG-TDSON-8
  • RS Best.-Nr. 349-146
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Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.17.86
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onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 44 A 307 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 166-1674
  • Herst. Teile-Nr. FDB44N25TM
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
CHF.968.00
CHF.1.21/Stück
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Infineon IMB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 52 A 250 W, 7-Pin PG-TO263-7
  • RS Best.-Nr. 349-101
  • Herst. Teile-Nr. IMBG120R040M2HXTMA1
Zwischensumme (1 Stück)
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CHF.9.76/Stück
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Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche N-Kanal MOSFET Erweiterung 120 V / 85 A 125 W, 8-Pin PG-TDSON-8
  • RS Best.-Nr. 349-145
  • Herst. Teile-Nr. ISC078N12NM6ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
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CHF.3.518/Stück
Nur noch Restbestände
Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 47 A 211 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
  • RS Best.-Nr. 349-042
  • Herst. Teile-Nr. IMDQ75R040M1HXUMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.5.57
CHF.5.57/Stück
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Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 73 A 75 W, 3-Pin PG-TO252-3
  • RS Best.-Nr. 349-430
  • Herst. Teile-Nr. IPD040N03LF2SATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.14.20
CHF.1.42/Stück
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Infineon F4-11MR12W2M1H_B70 Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 60 A 20 mW
  • RS Best.-Nr. 349-250
  • Herst. Teile-Nr. F411MR12W2M1HPB76BPSA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.145.00
CHF.145.00/Stück
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Infineon IPQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 500 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
  • RS Best.-Nr. 349-200
  • Herst. Teile-Nr. IPQC60T017S7AXTMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.17.57
CHF.17.57/Stück
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Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 54 A 95 W, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
  • RS Best.-Nr. 349-155
  • Herst. Teile-Nr. ISZ143N13NM6ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.17.34
CHF.3.468/Stück
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Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 47 A 211 W, 7-Pin PG-TO263-7
  • RS Best.-Nr. 349-209
  • Herst. Teile-Nr. AIMBG75R040M1HXTMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.11.14
CHF.11.14/Stück
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Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 63 A 100 W, 8-Pin PG-TSDSON-8
  • RS Best.-Nr. 349-154
  • Herst. Teile-Nr. ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.14.22
CHF.2.844/Stück
Vorübergehend ausverkauft
onsemi NDS332 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 166-1811
  • Herst. Teile-Nr. NDS332P
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.378.00
CHF.0.126/Stück
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