Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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Infineon IMB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 29 A 205 W, 7-Pin PG-TO263-7
  • RS Best.-Nr. 349-102
  • Herst. Teile-Nr. IMBG120R053M2HXTMA1
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CHF.8.12
CHF.8.12/Stück
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Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 142 A 600 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
  • RS Best.-Nr. 349-047
  • Herst. Teile-Nr. IMLT65R015M2HXTMA1
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CHF.19.66
CHF.19.66/Stück
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Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1700 V / 7.5 A 88 W, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8
  • RS Best.-Nr. 349-110
  • Herst. Teile-Nr. IMWH170R650M1XKSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.14.54
CHF.7.27/Stück
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Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 48 A 348 W, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14
  • RS Best.-Nr. 349-111
  • Herst. Teile-Nr. IMYH200R050M1HXKSA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.22.44
CHF.22.44/Stück
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Infineon IMB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 21.2 A 123 W, 7-Pin PG-TO263-7
  • RS Best.-Nr. 349-104
  • Herst. Teile-Nr. IMBG120R116M2HXTMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.12.19
CHF.6.095/Stück
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Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 297 A 39 W, 8-Pin PG-HSOF-8
  • RS Best.-Nr. 349-120
  • Herst. Teile-Nr. IPT020N13NM6ATMA1
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Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 870 mA 400 mW, 6-Pin SC-88
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onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 12 A 50 W, 8-Pin WDFN
  • RS Best.-Nr. 166-2095
  • Herst. Teile-Nr. FDMS86252L
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CHF.2'043.00
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Infineon HybridPACK Drive G2 Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 750 V Erweiterung / 620 A HybridPACK Drive G2
  • RS Best.-Nr. 349-030
  • Herst. Teile-Nr. FS01MR08A8MA2LBCHPSA1
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CHF.811.55
CHF.811.55/Stück
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Infineon EconoDUAL 3 Typ D-Kanal MOSFET Entleerung 1200 V / 750 A 20 mW, 8-Pin
  • RS Best.-Nr. 349-067
  • Herst. Teile-Nr. IFF750B12ME7B11BPSA1
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CHF.234.66
CHF.234.66/Stück
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Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A 172 W, 3-Pin PG-TO-247
  • RS Best.-Nr. 349-064
  • Herst. Teile-Nr. IMW65R040M2HXKSA1
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Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 107 A 454 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
  • RS Best.-Nr. 349-048
  • Herst. Teile-Nr. IMLT65R020M2HXTMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.15.11
CHF.15.11/Stück
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onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 54 W, 8-Pin WDFN
  • RS Best.-Nr. 166-2093
  • Herst. Teile-Nr. FDMC8360L
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.2'187.00
CHF.0.729/Stück
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onsemi NDS331 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 166-1810
  • Herst. Teile-Nr. NDS331N
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.396.00
CHF.0.132/Stück
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Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 164 A 217 W, 8-Pin PG-TDSON-8
  • RS Best.-Nr. 349-141
  • Herst. Teile-Nr. ISC035N10NM5LF2ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.10.51
CHF.5.255/Stück
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Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 74 A 200 W, 8-Pin PG-TDSON-8 FL
  • RS Best.-Nr. 349-149
  • Herst. Teile-Nr. ISC151N20NM6ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.11.98
CHF.5.99/Stück
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onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.4 A 3 W, 4-Pin SOT-223
  • RS Best.-Nr. 166-1834
  • Herst. Teile-Nr. FDT458P
Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)
CHF.1'492.00
CHF.0.373/Stück
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Infineon IMB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 53 A 335 W, 7-Pin PG-TO263-7
  • RS Best.-Nr. 349-098
  • Herst. Teile-Nr. IMBG120R026M2HXTMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.12.49
CHF.12.49/Stück
Vorübergehend ausverkauft
onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 9.4 A 2.4 W, 6-Pin MLP
  • RS Best.-Nr. 166-2010
  • Herst. Teile-Nr. FDMA910PZ
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.756.00
CHF.0.252/Stück
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Infineon IPZ Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 64 A 329 W, 4-Pin PG-TO247-4
  • RS Best.-Nr. 349-269
  • Herst. Teile-Nr. IPZA60R037CM8XKSA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.10.15
CHF.10.15/Stück
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