Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

55743 Produkte angezeigt für Diskrete Halbleiter

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ROHM BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V 300 mW, 3-Pin SOT-323
  • RS Best.-Nr. 265-419
  • Herst. Teile-Nr. BSS138WAHZGT106
Zwischensumme (1 Rolle mit 100 Stück)
CHF.7.90
CHF.0.079/Stück
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DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 275-973
  • Herst. Teile-Nr. ZVP3306FTA
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.1.63
CHF.0.326/Stück
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ROHM R60 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 38 A 348 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
  • RS Best.-Nr. 265-289
  • Herst. Teile-Nr. R6038YNX3C16
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.8.23
CHF.4.115/Stück
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Infineon 600V CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 149 A 657 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
  • RS Best.-Nr. 284-735
  • Herst. Teile-Nr. IPDQ60R015CFD7XTMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.22.02
CHF.22.02/Stück
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Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 8-Pin PG-TSON-8
  • RS Best.-Nr. 284-752
  • Herst. Teile-Nr. IQE022N06LM5CGSCATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.23.58
CHF.4.716/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 142 A 294 W, 8-Pin PG-HSOF-8
  • RS Best.-Nr. 284-717
  • Herst. Teile-Nr. IMT65R030M1HXUMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.11.69
CHF.11.69/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -19.5 A 83 W, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
  • RS Best.-Nr. 284-805
  • Herst. Teile-Nr. ISZ810P06LMATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)
CHF.2'105.00
CHF.0.421/Stück
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Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 36.5 A 227 W, 3-Pin PG-TO-247
  • RS Best.-Nr. 284-922
  • Herst. Teile-Nr. IPW95R130PFD7XKSA1
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)
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Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 331 A 395 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
  • RS Best.-Nr. 284-694
  • Herst. Teile-Nr. IPTC017N12NM6ATMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.7.96
CHF.7.96/Stück
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Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 203 W, 8-Pin PG-HSOF-8
  • RS Best.-Nr. 284-726
  • Herst. Teile-Nr. IMT65R057M1HXUMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.8.42
CHF.8.42/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 9-Pin PG-WHTFN-9
  • RS Best.-Nr. 284-765
  • Herst. Teile-Nr. IQE046N08LM5CGSCATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.21.30
CHF.4.26/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 8-Pin PG-TSON-8
  • RS Best.-Nr. 284-751
  • Herst. Teile-Nr. IQE022N06LM5CGSCATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 6000 Stück)
CHF.9'000.00
CHF.1.50/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / -22 A 188 W, 8-Pin PG-TDSON-8
  • RS Best.-Nr. 284-786
  • Herst. Teile-Nr. ISC16DP15LMATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.16.68
CHF.3.336/Stück
Auf Lager
onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 263 W, 3-Pin TO-247-3L
  • RS Best.-Nr. 277-044
  • Herst. Teile-Nr. NTHL023N065M3S
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.10.43
CHF.10.43/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -19.5 A 83 W, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
  • RS Best.-Nr. 284-806
  • Herst. Teile-Nr. ISZ810P06LMATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.10.27
CHF.1.027/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 77 A 150 W, 8-Pin PG-WSON-8
  • RS Best.-Nr. 284-647
  • Herst. Teile-Nr. BSC110N15NS5SCATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)
CHF.6'960.00
CHF.1.74/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 9-Pin PG-WHTFN-9
  • RS Best.-Nr. 284-764
  • Herst. Teile-Nr. IQE046N08LM5CGSCATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 6000 Stück)
CHF.9'072.00
CHF.1.512/Stück
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ROHM RV7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V 1.1 W, 3-Pin DFN1212-3
  • RS Best.-Nr. 265-381
  • Herst. Teile-Nr. RV7E040AJTCR1
Zwischensumme (1 Rolle mit 25 Stück)
CHF.5.65
CHF.0.226/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 447 A 333 W, 9-Pin PG-TTFN-9
  • RS Best.-Nr. 284-944
  • Herst. Teile-Nr. IQDH88N06LM5CGATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)
CHF.8'800.00
CHF.1.76/Stück
Auf Lager
ROHM BM2PxxB3JF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 730 V / 4 A 0.63 W, 4-Pin SOP-8
  • RS Best.-Nr. 329-144
  • Herst. Teile-Nr. BM2P13B3JF-E2
Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)
CHF.5.22
CHF.1.044/Stück
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