Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 20 A, 1.2 kV 288 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 244-2913
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 244-2913
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 20A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 288W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 % | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.55V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Breite | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Länge | 42mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 20A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 288W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 % | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.55V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie Resonant Switching | ||
Breite 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS | ||
Länge 42mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT-Einzeltransistor-IC der Resonanzschaltserie von Infineon, 1200 V max. Kollektor-Emitter-Spannung, 20 A max. kontinuierlicher Kollektorstrom – IHW20N120R5XKSA1
Merkmale und Vorteile:
• 20 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt eine dauerhafte Stromversorgung
• 1,55 V Vce(sat) reduzieren die Leitungsverluste während des Einschaltbetriebs
• Maximale Verlustleistung von 288 W ermöglicht hohe thermische Belastbarkeit
• Die Gate-Emitter-Bewertung von ±20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Amplituden
• Funktioniert bei Temperaturen von -40 °C bis 175 °C für erweiterte Temperaturbeständigkeit
Anwendungsbereich
• Wird für 1200 V 20 A IGBT-Transistorrollen in industriellen Wechselrichtern verwendet
• Ideal für Hochleistungs-IGBT-288-W-Module in Motorantrieben
• Kann für den Austausch von PG-TO-247 IGBT-Modulen in Baugruppen verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperatur-IGBT-Umgebungen von -40 bis 175 °C
Welche Verpackung ist für die einfache Montage auf der Leiterplatte oder im Kühlkörper vorgesehen?
Welche Normen für Materialien und gefährliche Substanzen erfüllt er?
Welche elektrische Grenze definiert die Sicherheit von Gate-Antrieben?
Wie sollten Konstrukteure die Wärmekapazität für einen dauerhaften Betrieb bewerten?
Welche extremen Temperaturen kann das Gerät im Betrieb tolerieren?
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