STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 300 W, 7-Pin SCT027H65G3AG H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 214-954
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT027H65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.19’331.00
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | CHF.19.331 | CHF.19’331.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-954
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT027H65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Länge | 15.25mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Serie SCT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.4 mm | ||
Länge 15.25mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Höhe 4.8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
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