STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 300 W, 7-Pin SCT027H65G3AG H2PAK-7

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RS Best.-Nr.:
214-954
Herst. Teile-Nr.:
SCT027H65G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SCT

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

2.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.25mm

Breite

10.4 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, AEC-Q101

Höhe

4.8mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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