Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 34 A, 8-Pin PG-HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
284-904
Herst. Teile-Nr.:
IPT65R080CFD7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

34 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der Infineon-MOSFET ist ein hochentwickeltes Leistungsbauelement, das eine bedeutende Innovation im Bereich des Power-Managements darstellt und sich durch außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit bei kompakter Bauweise auszeichnet. Er wurde mit der innovativen CoolMOS CFD7-Technologie entwickelt und kann Spannungen von bis zu 650 V bewältigen, was ihn ideal für anspruchsvolle Anwendungen wie Server-Netzteile, Telekommunikationsinfrastruktur und Ladesysteme für Elektrofahrzeuge macht. Ihre einzigartige ultraschnelle Body-Diode sorgt für eine überragende Schaltleistung und ermöglicht eine hohe Effizienz in resonanten Schalttopologien. Durch die Kombination von fortschrittlichem thermischen Verhalten und minimalen Schaltverlusten wurde dieses Produkt entwickelt, um die strengen Anforderungen moderner Stromversorgungsanwendungen zu erfüllen und die Systemleistung bei gleichzeitiger Platzoptimierung zu steigern.

Ultraschnelle Body-Diode verbessert das Schalten
Minimale Verluste erhöhen die Effizienz des Systems
Hohe Durchbruchspannung für anspruchsvolle Aufgaben
Optimiert für kompakte hohe Leistungsdichte
Hervorragende thermische Leistung bei hoher Belastung
Robuste Bauweise bietet Sicherheitsreserven
Ideal für Phasenverschiebung und LLC-Anwendungen
Vollständig JEDEC-qualifiziert für den industriellen Einsatz

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