Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 16 A, 8-Pin PG-HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
284-916
Herst. Teile-Nr.:
IPT65R190CFD7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

16 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der Infineon-MOSFET verfügt über einen fortschrittlichen 650-V-CoolMOS-CFD7-Leistungsbaustein, der eine unvergleichliche Effizienz und thermische Leistung für Anwendungen in resonanten Schalttopologien bietet. Als Flaggschiff der CFD7-Serie verspricht er verbesserte Schalteigenschaften und ist damit die ideale Lösung für anspruchsvolle Umgebungen wie Server-, Telekommunikations- und EV-Ladeanwendungen. Mit seiner innovativen ultraschnellen Body-Diode und der überragenden Robustheit der harten Kommutierung geht dieser Baustein über die herkömmliche MOSFET-Funktionalität hinaus und ermöglicht eine deutliche Steigerung der Leistungsdichte und Zuverlässigkeit. Sein fortschrittliches Design unterstreicht die Wärmemanagementfähigkeiten, die für Hochleistungssysteme erforderlich sind.

Ultraschnelle Body-Diode verbessert kritische Leistung
Der klassenbeste Zustandswiderstand reduziert Energieverluste
Maßgeschneidert für hohe Leistungsdichte zur Steigerung der Effizienz
Optimiert für phasenverschobene Vollbrückendesigns
Erfüllt Sicherheitsstandards für zuverlässigen Betrieb
Vollständig qualifiziert nach JEDEC-Normen für Qualität

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