Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 637 A 333 W, 9-Pin IQDH45N04LM6CGATMA1 PG-TTFN-9

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RS Best.-Nr.:
285-038
Herst. Teile-Nr.:
IQDH45N04LM6CGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

637A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

9

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET von Infineon verfügt über einen erweiterten Leistungstransistor, der sich in Hochleistungsanwendungen auszeichnet und außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit bietet. Er wurde im Rahmen der OptiMOS 6-Serie entwickelt und zeichnet sich durch beeindruckende elektrische Eigenschaften aus, die einen neuen Standard für die MOSFET-Technologie setzen. Mit 100 %iger Lawinenprüfung können sich die Benutzer auf seine Robustheit verlassen, egal ob sie in Leistungsmanagement- oder Motorsteuerungsanwendungen eingesetzt werden. Darüber hinaus gewährleisten die RoHS-Konformität und die Halogenfreiheit die Einhaltung strenger Umweltstandards und machen sie zu einer guten Wahl für umweltbewusste Projekte.

N-Kanal-Design für Anwendungen auf Logikebene

Hervorragender Wärmewiderstand für die Wärmeableitung

Entwickelt für schnelle Schaltleistung

Avalanche bewertet für Zuverlässigkeit unter Stress

Pb-frei und RoHS-konform für Umweltfreundlichkeit

Halogenfreie Konstruktion erfüllt Sicherheitsstandards

JEDEC-zertifiziert für industrielle Leistung

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