Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -59 A 188 W, 8-Pin PG-TDSON-8

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RS Best.-Nr.:
285-051
Herst. Teile-Nr.:
ISC240P06LMATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-59A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS Power Transistor

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Infineon-MOSFET ist ein hochmoderner P-Kanal-MOSFET, der für eine außergewöhnliche Leistung in Power-Management-Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer Nennspannung von 60 V zeichnet er sich sowohl durch einen hohen Wirkungsgrad als auch durch einen geringen Widerstand aus, was einen minimalen Leistungsverlust während des Betriebs gewährleistet. Das robuste Design ist zu 100 % lawinengeprüft und bietet Ingenieuren, die nach zuverlässigen Lösungen für anspruchsvolle Umgebungen suchen, ein sicheres Gefühl. Der Transistor arbeitet auf Logikebene und eignet sich daher für eine Vielzahl von Steuerungsszenarien in industriellen Anwendungen.

Spritzgegossen für Wärmemanagement

Validiert nach JEDEC-Standards für Zuverlässigkeit

RoHS-konform für die Einhaltung der Umweltrichtlinien

Halogenfreie Materialien für Nachhaltigkeit

Optimiert für hohe Schalteffizienz bei hohen Geschwindigkeiten

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