Infineon ISG Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 299 A 167 W, 10-Pin PG-VITFN-10
- RS Best.-Nr.:
- 349-393
- Herst. Teile-Nr.:
- ISG0613N04NM6HATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.9.434
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.4.717 | CHF.9.43 |
| 20 - 198 | CHF.4.242 | CHF.8.48 |
| 200 - 998 | CHF.3.919 | CHF.7.83 |
| 1000 - 1998 | CHF.3.636 | CHF.7.26 |
| 2000 + | CHF.3.252 | CHF.6.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-393
- Herst. Teile-Nr.:
- ISG0613N04NM6HATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 299A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PG-VITFN-10 | |
| Serie | ISG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.88mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC61249‑2‑21, JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 299A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PG-VITFN-10 | ||
Serie ISG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 10 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.88mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249‑2‑21, JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET mit 40 V in einem skalierbaren Power-Block-Gehäuse. Zwei N-Kanal-MOSFETs im PQFN 6,3x6,0 mit sehr niedrigem RDS(on) von jeweils 0,88 mΩ mit Q1/Q2 in einer Halbbrücken-Konfiguration.
Minimierte Leitungsverluste
Reduziertes Überschwingen der Spannung
Hohe Leistungsfähigkeit
Hervorragende thermische Leistung
Geringste Schleifeninduktivität
Verwandte Links
- Infineon ISG Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 299 A 167 W, 10-Pin PG-WHITFN-10-1
- Infineon ISG Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 100 V / 139 A 167 W, 10-Pin PG-WHITFN-10-1
- Infineon CoolSiC N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 50 A 167 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon StrongIRFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 125 A 167 W, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon CoolGaN, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 600 V / 60 A 125 W, 20-Pin PG-DSO-20-85
- Infineon CoolGaN, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 600 V / 15 A 114 W, 8-Pin PG-LSON-8-1
- Infineon CoolGaN N-Kanal, SMD Leistungs-Transistor Erweiterung 650 V / 30 A 55 W, 9-Pin PG-HDSOP-16
- Ansell Ringers R-299 Chemikalienbeständige Handschuhe Größe 10 Polyethylen HPPE Rot Thermoplast Gummi 10