Infineon ISG Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 299 A 167 W, 10-Pin PG-WHITFN-10-1
- RS Best.-Nr.:
- 349-394
- Herst. Teile-Nr.:
- ISG0613N04NM6HSCATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.4.872 | CHF.9.73 |
| 20 - 198 | CHF.4.379 | CHF.8.76 |
| 200 - 998 | CHF.4.043 | CHF.8.09 |
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- 349-394
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- ISG0613N04NM6HSCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 299A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PG-WHITFN-10-1 | |
| Serie | ISG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.88mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 299A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PG-WHITFN-10-1 | ||
Serie ISG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 10 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.88mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die Infineon OptiMOS 6 Dual-N-Kanal-MOSFETs für 40 V in einem skalierbaren Leistungsblock mit beidseitiger Kühlung. Zwei N-Kanal-MOSFETs im PQFN 6,3x6,0 mit niedrigem RDS(on) von jeweils 0,88 mΩ mit Q1/Q2 in einer Halbbrücken-Konfiguration. Die niedrige parasitäre Induktivität des Gehäuses verbessert die Schaltleistung und EMI bei gleichzeitiger Senkung der Gesamtkosten für die Stückliste. Die beidseitige Kühlung steigert den Energiedurchsatz um weitere 25 % und sorgt für ein hervorragendes Wärmemanagement.
Minimierte Leitungsverluste
Reduziertes Überschwingen der Spannung
Hohe Leistungsfähigkeit
Hervorragende thermische Leistung
Geringste Schleifeninduktivität
Ausgezeichnetes Temperaturmanagement
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