Microchip VN2460 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 250 mA 1 W, 3-Pin SOT-89
- RS Best.-Nr.:
- 598-312
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2460N8-G
- Marke:
- Microchip
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 598-312
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2460N8-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 250mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | SOT-89 | |
| Serie | VN2460 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 4.6mm | |
| Breite | 2.6 mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 250mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße SOT-89 | ||
Serie VN2460 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 4.6mm | ||
Breite 2.6 mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der vertikale N-Kanal-MOSFET mit Verstärkungsmodus von Microchip ist ein normalerweise ausgeschalteter Transistor, der eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate verwendet. Diese Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren und bietet gleichzeitig die hohe Eingangsimpedanz und den positiven Temperaturkoeffizienten, die typisch für MOS-Geräte sind. Wie bei allen MOS-Strukturen ist das Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärausfall, was selbst unter anspruchsvollen Bedingungen eine zuverlässige Leistung gewährleistet.
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringer Stromverbrauch
Einfache Parallelschaltung
Ausgezeichnete thermische Stabilität
Integrierte Quellen-Ablassdiode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
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