ROHM RV4 Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -20 V / 6 A 1.5 W, 8-Pin DFN1616-6W
- RS Best.-Nr.:
- 646-539
- Herst. Teile-Nr.:
- RV4C060ZPHZGTCR1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
CHF 3.43
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF 0.343 | CHF 3.42 |
| 100 - 240 | CHF 0.303 | CHF 3.01 |
| 250 - 990 | CHF 0.273 | CHF 2.72 |
| 1000 - 4990 | CHF 0.222 | CHF 2.19 |
| 5000 + | CHF 0.212 | CHF 2.13 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 646-539
- Herst. Teile-Nr.:
- RV4C060ZPHZGTCR1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Gehäusegröße | DFN1616-6W | |
| Serie | RV4 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.7mm | |
| Breite | 1.7mm | |
| Höhe | 800μm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Gehäusegröße DFN1616-6W | ||
Serie RV4 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.7mm | ||
Breite 1.7mm | ||
Höhe 800μm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-20-Volt-6-Ampere-Kleinsignal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von ROHM ist zu 100 % ungeklemmt induktiv geschaltet, mit Nass-Flanken-Test für automatische optische Inspektion geprüft und verfügt über eine 130-Mikrometer-Elektroden-Teilegarantie.
Geringer Durchlasswiderstand
Kleines Gehäuse mit hoher Leistung
Niederspannungsantrieb (1,5 V)
Verwandte Links
- ROHM Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung, 3-Pin TSMT-3
- ROHM RH7G04CBJFRA Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 62 W, 8-Pin DFN3333T8LSAB
- ROHM RH7G04BBJFRAT Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 75 W, 8-Pin DFN3333T8LSAB
- ROHM RD3 Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 53 W, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3E07BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 77 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM RD3N03BAT Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 54 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM RD3L08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM RD3L04BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 77 W, 3-Pin TO-252 (TL)