ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT
- RS Best.-Nr.:
- 780-680
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3P120BLFRATCB
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 780-680
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3P120BLFRATCB
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | HSMT | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 83mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 3.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße HSMT | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 83mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 3.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Power-MOSFET von ROHM bietet leistungsstarkes N-Kanal-Schalten für das Energiemanagement im Automobilbereich. Dieses AEC-Q101-qualifizierte Gerät wurde für ADAS- und Infotainment-Systeme entwickelt und gewährleistet einen effizienten Betrieb in einer kompakten Grundfläche von 3,2 mm x 3 mm.
Drain-Quellenspannung von 100 V
Kontinuierlicher Ablassstrom von 12 A
Hohe Verlustleistung von 40 W
Kompaktes HSMT8AG-Gehäuse für Oberflächenmontage
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