Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 195 A 366 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*

CHF.69.575

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 75 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
25 - 25CHF.2.783CHF.69.51
50 - 100CHF.2.646CHF.66.05
125 - 225CHF.2.531CHF.63.26
250 - 475CHF.2.415CHF.60.48
500 +CHF.2.247CHF.56.30

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-9048
Herst. Teile-Nr.:
IRFP7430PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

195A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

StrongIRFET

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

460nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

366W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

20.7mm

Breite

5.31 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.87mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon


Die Infineon-StrongIRFET-Familie ist optimiert für geringe RDS(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links