Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 195 A 366 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 124-9048
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP7430PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
CHF.69.575
Auf Lager
- 75 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.2.783 | CHF.69.51 |
| 50 - 100 | CHF.2.646 | CHF.66.05 |
| 125 - 225 | CHF.2.531 | CHF.63.26 |
| 250 - 475 | CHF.2.415 | CHF.60.48 |
| 500 + | CHF.2.247 | CHF.56.30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-9048
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP7430PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 195A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 460nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 366W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5.31 mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 195A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 460nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 366W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5.31 mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon
Die Infineon-StrongIRFET-Familie ist optimiert für geringe RDS(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 195 A 366 W, 3-Pin TO-247AC
- Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 195 A 375 W, 3-Pin TO-220AB
- Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 195 A 341 W, 3-Pin TO-247
- Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 195 A 375 W, 3-Pin TO-220AB
- Infineon StrongIRFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 195 A 294 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 120 A 99 W, 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET, SMD MOSFET 250 V / 128 A TO-247AC
- Infineon HEXFET, SMD MOSFET 200 V / 182 A TO-247AC
