Vishay D Series N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 3 A 104 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
145-1656
Herst. Teile-Nr.:
SIHD3N50D-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

D Series

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.38mm

Breite

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, Serie D Hochspannung, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Vishay Semiconductor


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