onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 51 A 63 W, 8-Pin PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.2’016.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 02. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF.0.672CHF.2’019.15

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
146-3370
Herst. Teile-Nr.:
FDMS86183
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.85 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.05mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


Verwandte Links