Infineon Isoliert OptiMOS P Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2 A 500 mW, 6-Pin TSOP

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RS Best.-Nr.:
165-5552
Herst. Teile-Nr.:
BSL308PEH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS P

Gehäusegröße

TSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

130mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

-5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Länge

2.9mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.6 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P


Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.

Enhancement-Modus

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform

Standardgehäuse

P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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