Infineon Isoliert OptiMOS Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.5 A 500 mW, 6-Pin TSOP

RS Best.-Nr.:: 110-7726
Distrelec-Artikelnummer:: 304-36-974
Herst. Teile-Nr.:: BSL215CH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon Isoliert OptiMOS Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.5 A 500 mW, 6-Pin TSOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 110-7726
Distrelec-Artikelnummer:: 304-36-974
Herst. Teile-Nr.:: BSL215CH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P, Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Serie	OptiMOS
	Gehäusegröße	TSOP
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	280mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	500mW
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	-12V, +12V
	Durchlassspannung Vf	0.8V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	3nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.6mm
	Länge	2.9mm
	Höhe	1mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P, Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Serie OptiMOS
	Gehäusegröße TSOP
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 500mW
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs -12V, +12V
	Durchlassspannung Vf 0.8V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.6mm
	Länge 2.9mm
	Höhe 1mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard AEC-Q101

Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSL215CH6327XTSA1

Dieser MOSFET ist ein kompaktes oberflächenmontiertes Leistungstransistorgerät, das für das Schalten und Verstärken in Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt wurde. Es besteht aus gepaarten Transistorelementen in einer isolierten Konfiguration, um komplementäre Anwendungen zu unterstützen, bei denen sowohl der P-Kanal- als auch der N-Kanal-Betrieb erforderlich sind. Die Komponente ist auf den Einsatz auf Leiterplatten zugeschnitten, bei denen eine geringe Grundfläche und branchenspezifische Zuverlässigkeit wichtig sind.

Merkmale und Vorteile:

• Geringe Gate-Ladung von 3 nC ermöglicht eine schnellere Schaltleistung
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 1,5 A unterstützt Schaltkreise mit mittlerer Last
• Drain-Source-Widerstand von 280 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Ausgelegt für 20 V Drain-Source-Spannung für Niederspannungsanlagen
• Die Verlustleistung von 500 mW steuert die thermische Belastung in kompakten Designs
• Qualifiziert nach AEC-Q101 für erhöhte Belastungstoleranz im Automobilbereich

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kfz-Signalschalt- und Steuerkreise
• Wird mit Batteriemanagement- und Stromverteilungsmodulen verwendet
• Ideal für kompakte DC/DC-Wandler und Spannungsregler
• Kann zum Schalten von Lasten in Infotainment-Subsystemen verwendet werden
• Geeignet für eingebettete Motorsteuerungs-Treiberstufen

In welchem Temperaturbereich kann er zuverlässig funktionieren?

Er funktioniert bei Temperaturen von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht so den Einsatz von Kaltstarts bis hin zu hohen Untertemperaturen der Motorhaube.

Wie viele Transistorelemente sind auf dem Chip vorhanden?

Das Gerät enthält zwei Elemente pro Chip, die in einer isolierten Konfiguration für flexible Schaltkreistopologien angeordnet sind.

Welches Gehäuse und welche Anzahl von Stiften sollten Entwickler planen?

Er wird in einem TSOP-Gehäuse mit sechs Stiften für die Oberflächenmontage und Layoutplanung geliefert.

Welche Gate-Source- und Durchlassspannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?

Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 12 V und die Durchlassspannung 0,8 V für Diodenleitungsaspekte.