Infineon Isoliert OptiMOS Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.5 A 500 mW, 6-Pin TSOP

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110-7726
Distrelec-Artikelnummer:
304-36-974
Herst. Teile-Nr.:
BSL215CH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-12V, +12V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

800mV

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.6mm

Länge

2.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSL215CH6327XTSA1


Dieser MOSFET ist ein kompaktes oberflächenmontiertes Leistungstransistorgerät, das für das Schalten und Verstärken in Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt wurde. Es besteht aus gepaarten Transistorelementen in einer isolierten Konfiguration, um komplementäre Anwendungen zu unterstützen, bei denen sowohl der P-Kanal- als auch der N-Kanal-Betrieb erforderlich sind. Die Komponente ist auf den Einsatz auf Leiterplatten zugeschnitten, bei denen eine geringe Grundfläche und branchenspezifische Zuverlässigkeit wichtig sind.

Merkmale und Vorteile:


• Geringe Gate-Ladung von 3 nC ermöglicht eine schnellere Schaltleistung
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 1,5 A unterstützt Schaltkreise mit mittlerer Last
• Drain-Source-Widerstand von 280 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Ausgelegt für 20 V Drain-Source-Spannung für Niederspannungsanlagen
• Die Verlustleistung von 500 mW steuert die thermische Belastung in kompakten Designs
• Qualifiziert nach AEC-Q101 für erhöhte Belastungstoleranz im Automobilbereich

Anwendungsbereich


• Geeignet für Kfz-Signalschalt- und Steuerkreise
• Wird mit Batteriemanagement- und Stromverteilungsmodulen verwendet
• Ideal für kompakte DC/DC-Wandler und Spannungsregler
• Kann zum Schalten von Lasten in Infotainment-Subsystemen verwendet werden
• Geeignet für eingebettete Motorsteuerungs-Treiberstufen

In welchem Temperaturbereich kann er zuverlässig funktionieren?


Er funktioniert bei Temperaturen von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht so den Einsatz von Kaltstarts bis hin zu hohen Untertemperaturen der Motorhaube.

Wie viele Transistorelemente sind auf dem Chip vorhanden?


Das Gerät enthält zwei Elemente pro Chip, die in einer isolierten Konfiguration für flexible Schaltkreistopologien angeordnet sind.

Welches Gehäuse und welche Anzahl von Stiften sollten Entwickler planen?


Er wird in einem TSOP-Gehäuse mit sechs Stiften für die Oberflächenmontage und Layoutplanung geliefert.

Welche Gate-Source- und Durchlassspannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?


Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 12 V und die Durchlassspannung 0,8 V für Diodenleitungsaspekte.

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