Infineon Doppelt OptiMOS Typ P, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 30 V Erweiterung / 2.3 A 0.6 W, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 214-4334
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL308CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF 576.00
- 9'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF 0.192 | CHF 587.82 |
| 6000 + | CHF 0.182 | CHF 560.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4334
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL308CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET-Arrays | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 57mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.6W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | -5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Breite | 1.6mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET-Arrays | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 57mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.6W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Breite 1.6mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET-Arrays der OptiMOS-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 2,3 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSL308CH6327XTSA1
Merkmale und Vorteile:
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 2,3 A ermöglicht eine moderate Belastbarkeit
• Maximum Vds 30 V unterstützt 30-V-Systemarchitekturen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V schützt die Gate-Integrität bei Transienten
• Die Durchlassspannung von 1,1 V verbessert die Effizienz in Diodenleitpfaden
• Ausgelegt für 150 °C ermöglicht zuverlässigen Betrieb bei hohen Sperrschichttemperaturen
Anwendungsbereich
• Ideal für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern mit hoher Dichte
• Einsatz mit Batteriemanagement-Schaltkreisen in Fahrzeugen und Geräten
• Kann für das Schalten von Motortreibern auf der Low-Side- oder High-Side-Seite verwendet werden
• Geeignet für die kompakte Stromverteilung auf oberflächenmontierten Leiterplatten
Welche Befestigungsart ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?
Wie verhält es sich bei extremen Temperaturen?
Gibt es separate Transistorelemente pro Chip?
Welche Normen und Materialkonformität sind angegeben?
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