Infineon Doppelt OptiMOS Typ P, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 30 V Erweiterung / 2.3 A 0.6 W, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 214-4335
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL308CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- 214-4335
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL308CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET-Arrays | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 57mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | -5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.6 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET-Arrays | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 57mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.6 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Dieser Infineon OptiMOS P3 + OptiMOS 2 MOSFET - ein n-Kanal- und ein p-Kanal-Leistungs-MOSFET im gleichen Gehäuse - ist eine hocheffiziente Lösung für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), das Netzteil (z. B. Server und Telekommunikation) und den Stromverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug). Es ist Avalanche-bewertet
Es ist zu 100 % bleifrei und RoHS-konform
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