Infineon Isoliert OptiMOS P Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2 A 500 mW, 6-Pin TSOP

RS Best.-Nr.:: 892-2172
Distrelec-Artikelnummer:: 304-44-410
Herst. Teile-Nr.:: BSL308PEH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon Isoliert OptiMOS P Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2 A 500 mW, 6-Pin TSOP

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Distrelec-Artikelnummer:: 304-44-410
Herst. Teile-Nr.:: BSL308PEH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	OptiMOS P
	Gehäusegröße	TSOP
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	130mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	-5nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	-0.8V
	Maximale Verlustleistung Pd	500mW
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Länge	2.9mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1mm
	Breite	1.6mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie OptiMOS P
	Gehäusegröße TSOP
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -5nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf -0.8V
	Maximale Verlustleistung Pd 500mW
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Länge 2.9mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1mm
	Breite 1.6mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard AEC-Q101

Infineon OptiMOS P Serie MOSFET, 30 V Drain-Source-Spannung, 2 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSL308PEH6327XTSA1

Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungstransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen in der Automobil- und Industrieelektronik vorgesehen ist. Er bietet Schaltgerätefunktionalität für Hochtemperaturumgebungen und wird in einem kompakten TSOP-6-Pin-Gehäuse mit zwei Elementen auf einem einzigen Chip geliefert, das für Schaltkreise mit begrenztem Platzangebot geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Einschaltwiderstand von 130 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Ausgelegt für eine Ablass-Quellenspannung von 30 V, was den Einsatz eines 30-V-Systems ermöglicht
• Die kontinuierliche Ablassstromkapazität von 2 A unterstützt moderate Lasten
• Typische Gate-Ladung -5 nC bei Vgs für schnelleres Schaltverhalten
• Die Verlustleistung von 500 mW ermöglicht eine zuverlässige Wärmebehandlung
• Qualifiziert nach AEC-Q101 für Belastungsleistung im Automobilbereich

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochtemperatur-Kfz-Leistungsschalter
• Ideal für Lastschaltvorgänge in Batteriemanagementsystemen
• Verwendung mit DC/DC-Wandlern, die P-Kanal-Geräte erfordern
• Kann für Zweikanal-Polaritätsschutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromverteiler

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollte ich für einen sicheren Betrieb beachten?

Die Gate-to-Source-Spannung darf 20 V in beiden Polaritäten nicht überschreiten, um eine Belastung des Geräts zu vermeiden.

Wie viele Transistoren sind auf dem Chip enthalten, und was ermöglicht dies?

Es gibt zwei P-Kanal-Elemente pro Chip, was gepaarte Schaltvorgänge oder vereinfachte Zweikanal-Layouts ermöglicht.

Welchem Umgebungstemperaturbereich kann das Gerät während des Betriebs standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C für Anwendungen mit erhöhten Sperrschichttemperaturen ausgelegt.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Platzierung und Routing der Platine aus?

Das 6-polige TSOP-Oberflächengehäuse minimiert die Grundfläche der Leiterplatte und vereinfacht die thermische und Signalführung für kompakte Designs.