Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 280 mA 500 mW, 3-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 165-5731
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138WH6433XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- 165-5731
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138WH6433XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 280mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 850mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2mm | |
| Höhe | 800μm | |
| Breite | 1.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 280mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 850mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2mm | ||
Höhe 800μm | ||
Breite 1.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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