Infineon OptiMOS 2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-5871
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS806NEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 165-5871
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS806NEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 82mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -8V, +8V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 82mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -8V, +8V | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon OptiMOS 2 Serie MOSFET, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 2,3 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS806NEH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät mit kleinen Signalen, das für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine kompakte Schaltleistung erforderlich ist. Er eignet sich für den Einsatz in Niederspannungsstufen und Steuerkreisen über einen breiten Temperaturbereich und bietet Funktionen, die sowohl Unterhaltungselektronik- als auch Automobilelektronikumgebungen unterstützen.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand von 82 mΩ reduziert Leitungsverluste und Wärme
• Die Nennleistung von 20 V Drain-Source ermöglicht sicheres Schalten bei Niederspannung
• 2,3 A Dauerstrom unterstützt moderate Lastströme
• 1,7 nC Gate-Ladung ermöglicht schnelle Gate-Drive-Übergänge
• Die Verlustleistung von 500 mW begrenzt die thermische Belastung in engen Umgebungen
• Gate-Toleranz von bis zu 8 V für flexible Antriebsspannungen
• Die Nennleistung von 20 V Drain-Source ermöglicht sicheres Schalten bei Niederspannung
• 2,3 A Dauerstrom unterstützt moderate Lastströme
• 1,7 nC Gate-Ladung ermöglicht schnelle Gate-Drive-Übergänge
• Die Verlustleistung von 500 mW begrenzt die thermische Belastung in engen Umgebungen
• Gate-Toleranz von bis zu 8 V für flexible Antriebsspannungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Batteriemanagement- und Stromverteilungsmodule
• Ideal für DC/DC-Wandler in kompakten Baugruppen
• Wird mit Mikrocontroller-Ausgängen für das Schalten von Niederspannungen verwendet
• Kann für Lastschaltvorgänge in der Automobilelektronik verwendet werden
• Wird zur Steuerung der Signalstrom in eingebetteten Systemen verwendet
• Ideal für DC/DC-Wandler in kompakten Baugruppen
• Wird mit Mikrocontroller-Ausgängen für das Schalten von Niederspannungen verwendet
• Kann für Lastschaltvorgänge in der Automobilelektronik verwendet werden
• Wird zur Steuerung der Signalstrom in eingebetteten Systemen verwendet
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?
Er wird in einem SOT-23-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konzipiert ist, um Platz auf der Leiterplatte zu sparen und die automatisierte Platzierung zu vereinfachen.
Welchen Temperaturbedingungen kann es während des Betriebs standhalten?
Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich von -55 °C bis 150 °C, um rauen Umgebungen und hohen Sperrschichttemperaturen standzuhalten.
Wie viele Stifte sind verfügbar und wie ist der Kanaltyp?
Es gibt drei Pins, und das Gerät verwendet einen N-Kanal-Leitungspfad, der im Enhancement-Modus konfiguriert ist.
Was ist die typische Charakteristik der Vorwärts-/Bulk-Diode?
Das Gerät weist eine Durchlassspannung von 0,82 V über seine intrinsische Diode unter typischen Leitungsbedingungen auf.
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