Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 160 A 135 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 166-0945
Herst. Teile-Nr.:: IRLR8743PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 160 A 135 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 166-0945
Herst. Teile-Nr.:: IRLR8743PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	160A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	39nC
	Maximale Verlustleistung Pd	135W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.73mm
	Breite	6.22 mm
	Höhe	2.39mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 160A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC
	Maximale Verlustleistung Pd 135W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.73mm
	Breite 6.22 mm
	Höhe 2.39mm
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 160A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 135W maximale Verlustleistung - IRLR8743TRPBF

Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen in den Bereichen Automatisierung und Elektronik konzipiert. Durch den Einsatz der HEXFET-Technologie wird eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit beim Energiemanagement erreicht. Aufgrund seiner Fähigkeit, hohe Dauerabflussströme zu bewältigen, eignet er sich für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Bewältigt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 160 A für solide Leistung

• Bietet eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V für einen zuverlässigen Betrieb

• Niedriger Rds(on)-Wert von 3,9mΩ minimiert Leistungsverluste

• Entwickelt als Anreicherungstransistor zur Verbesserung der Schalteffizienz

• Oberflächenmontage ermöglicht eine einfache Integration in Schaltungsdesigns

• Ausgelegt für hohe Betriebstemperaturen von bis zu +175°C für verbessertes Wärmemanagement

Anwendungsbereich

• Synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler in Computer-Stromversorgungen

• Isolierte DC-DC-Wandler in Telekommunikationssystemen

• Industrielle Energiemanagement- und Automatisierungssysteme

• Bauelemente, die niedrige Gate-Schwellenspannungen für effizientes Schalten erfordern

• Verschiedene elektronische Geräte, die eine kompakte Stromversorgungslösung erfordern

Welchen Einfluss haben hohe Temperaturen auf die Leistung des Systems?

Durch den Betrieb bei erhöhten Temperaturen wird die thermische Leistung verbessert, so dass hohe Leistungen effektiv bewältigt werden können und die Stabilität unter schwierigen Bedingungen gewährleistet ist.

Wie verbessert diese Technologie die Effizienz von elektronischen Geräten?

Die HEXFET-Technologie reduziert die Leistungsverluste aufgrund ihres niedrigen Rds(on) erheblich, so dass die Bauelemente auch unter hohen Lasten effizient arbeiten und weniger Wärme erzeugen.

Kann es in Verbindung mit anderen Halbleitern verwendet werden?

Ja, er kann mit anderen Halbleiterkomponenten in Mixed-Signal-Schaltungen integriert werden, was die Gesamtfunktionalität und Leistung der Schaltung verbessert.

Welche Bedeutung hat das oberflächenmontierte Design?

Das oberflächenmontierbare Design unterstützt die kompakte Montage auf Leiterplatten, verbessert das Wärmemanagement und optimiert den Platzbedarf in elektronischen Anwendungen.

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.