Infineon IPP075N15N3 G Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 100 A 300 W, 4-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 170-2269
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP075N15N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.123.40
Auf Lager
- Zusätzlich 500 Einheit(en) mit Versand ab 30. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.2.468 | CHF.123.48 |
| 100 - 200 | CHF.2.342 | CHF.117.29 |
| 250 + | CHF.2.111 | CHF.105.58 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 170-2269
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP075N15N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPP075N15N3 G | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Höhe | 11.17mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPP075N15N3 G | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.57 mm | ||
Höhe 11.17mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS™ 150V erreicht eine Reduzierung des R DS(on) um 40 % und der Gütezahl (FOM) um 45 % im Vergleich zum nächstbesten Konkurrenzprodukt. Diese drastische Verbesserung eröffnet neue Möglichkeiten wie den Übergang von Gehäuse mit Anschlussleitungen zu SMD-Gehäuse oder den Ersatz von zwei alten Teilen durch ein OptiMOS™-Teil.
Zusammenfassung der Merkmale:
Ausgezeichnetes Schaltvermögen
Weltweit niedrigster R DS(on)
Sehr niedrige Q g und Q gd
Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)
Halogenfrei
Vorteile:
Umweltfreundlich
Erhöhte Effizienz
Höchste Leistungsdichte
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Geringster Platinenplatzbedarf
Einfaches Design von Produkten
Anwendungsbereiche:
Synchrone Gleichrichtung für AC/DC-Schaltnetzteile
Motorsteuerung für 48-V- bis 80-V-Systeme (d. h. private Fahrzeuge, Elektrowerkzeuge, Fahrzeuge)
Isolierte DC/DC-Wandler (Telekommunikation und Datenübertragungssysteme)
OR-Schalter und Leistungsschalter in 48-V-Systemen
Audioverstärker der Klasse D
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
Verwandte Links
- Infineon IPP075N15N3 G Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 100 A 300 W, 4-Pin TO-220
- Infineon IPD200N15N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 50 A 150 W, 5-Pin TO-252
- Infineon IPD200N15N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 50 A 150 W, 5-Pin IPD200N15N3GATMA1 TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 300 V / 16 A 150 W, 8-Pin TDSON
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 mA 300 mW, 3-Pin SC-70
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 300 V / 16 A 150 W, 8-Pin BSC13DN30NSFDATMA1 TDSON
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 mA 300 mW, 3-Pin BSS84PWH6327XTSA1 SC-70
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 130 A 300 W, 7-Pin TO-263
