Infineon IPP075N15N3 G Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 100 A 300 W, 4-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 170-2323
Herst. Teile-Nr.:: IPP075N15N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IPP075N15N3 G Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 100 A 300 W, 4-Pin TO-220

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10 - 18	CHF.3.497	CHF.6.99
20 - 48	CHF.3.056	CHF.6.11
50 - 98	CHF.2.835	CHF.5.66
100 +	CHF.2.604	CHF.5.22

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 170-2323
Herst. Teile-Nr.:: IPP075N15N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	100A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Serie	IPP075N15N3 G
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	7.7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	70nC
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	300W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	4.57 mm
	Länge	10.36mm
	Höhe	11.17mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Serie IPP075N15N3 G
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 300W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 4.57 mm
	Länge 10.36mm
	Höhe 11.17mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Der OptiMOS™ 150V erreicht eine Reduzierung des R DS(on) um 40 % und der Gütezahl (FOM) um 45 % im Vergleich zum nächstbesten Konkurrenzprodukt. Diese drastische Verbesserung eröffnet neue Möglichkeiten wie den Übergang von Gehäuse mit Anschlussleitungen zu SMD-Gehäuse oder den Ersatz von zwei alten Teilen durch ein OptiMOS™-Teil.

Zusammenfassung der Merkmale:

Ausgezeichnetes Schaltvermögen

Weltweit niedrigster R DS(on)

Sehr niedrige Q g und Q gd

Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)

Halogenfrei

Vorteile:

Umweltfreundlich

Erhöhte Effizienz

Höchste Leistungsdichte

Weniger Parallelschaltung erforderlich

Geringster Platinenplatzbedarf

Einfaches Design von Produkten

Anwendungsbereiche:

Synchrone Gleichrichtung für AC/DC-Schaltnetzteile

Motorsteuerung für 48-V- bis 80-V-Systeme (d. h. private Fahrzeuge, Elektrowerkzeuge, Fahrzeuge)

Isolierte DC/DC-Wandler (Telekommunikation und Datenübertragungssysteme)

OR-Schalter und Leistungsschalter in 48-V-Systemen

Audioverstärker der Klasse D

Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

Infineon IPP075N15N3 G Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 100 A 300 W, 4-Pin TO-220

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