Infineon IPP075N15N3 G Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 100 A 300 W, 4-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 170-2323
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP075N15N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
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| 2 - 8 | CHF 7.222 | CHF 14.44 |
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| 20 - 48 | CHF 5.999 | CHF 12.00 |
| 50 - 98 | CHF 5.555 | CHF 11.10 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 170-2323
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP075N15N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPP075N15N3 G | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 11.17mm | |
| Breite | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPP075N15N3 G | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 11.17mm | ||
Breite 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS™ 150V erreicht eine Reduzierung des R DS(on) um 40 % und der Gütezahl (FOM) um 45 % im Vergleich zum nächstbesten Konkurrenzprodukt. Diese drastische Verbesserung eröffnet neue Möglichkeiten wie den Übergang von Gehäuse mit Anschlussleitungen zu SMD-Gehäuse oder den Ersatz von zwei alten Teilen durch ein OptiMOS™-Teil.
Zusammenfassung der Merkmale:
Ausgezeichnetes Schaltvermögen
Weltweit niedrigster R DS(on)
Sehr niedrige Q g und Q gd
Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)
Halogenfrei
Vorteile:
Umweltfreundlich
Erhöhte Effizienz
Höchste Leistungsdichte
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Geringster Platinenplatzbedarf
Einfaches Design von Produkten
Anwendungsbereiche:
Synchrone Gleichrichtung für AC/DC-Schaltnetzteile
Motorsteuerung für 48-V- bis 80-V-Systeme (d. h. private Fahrzeuge, Elektrowerkzeuge, Fahrzeuge)
Isolierte DC/DC-Wandler (Telekommunikation und Datenübertragungssysteme)
OR-Schalter und Leistungsschalter in 48-V-Systemen
Audioverstärker der Klasse D
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
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