Infineon BSC040N08NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 104 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 170-2307
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC040N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 170-2307
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC040N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC040N08NS5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.88V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.49mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 6.35 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC040N08NS5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.88V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.49mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 6.35 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon BSC040N08NS5 OptiMOS 5 80 V Leistungs-MOSFET, speziell entwickelt für synchrone Gleichrichtung für Telekommunikations- und Servernetzteile. Darüber hinaus kann das Gerät auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.
Höchste Systemeffizienz
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Niederspannungs-/Überschwingen
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