Infineon BSC040N08NS5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 104 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 171-1969
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC040N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 171-1969
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC040N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC040N08NS5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 880mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 5.49mm | |
| Breite | 6.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC040N08NS5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 880mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 5.49mm | ||
Breite 6.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon BSC040N08NS5 Serie MOSFET, 80 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC040N08NS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Silizium-Verbesserungsgerät, das für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten industriellen Temperaturbereich und eignet sich für Systeme, die eine robuste Leitfähigkeit und schnelles Schalten erfordern. Das Gerät bietet eine hohe Dauerstrombelastbarkeit und ist für den Einsatz in Bereichen konfiguriert, in denen eine kompakte, verlustarme Stromverarbeitung erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• 80 V Ablassspannung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 100 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung hoher Stromlasten
• Niedrige Rds(on) von 5.7 mΩ zur Verringerung der Leitungsverluste
• 104 W Verlustleistung für erhöhte thermische Belastung
• 43 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effiziente Schaltübergänge
• Vgs 20 V maximale Gate-Nennleistung ermöglicht große Gate-Drive-Margen
• 100 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung hoher Stromlasten
• Niedrige Rds(on) von 5.7 mΩ zur Verringerung der Leitungsverluste
• 104 W Verlustleistung für erhöhte thermische Belastung
• 43 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effiziente Schaltübergänge
• Vgs 20 V maximale Gate-Nennleistung ermöglicht große Gate-Drive-Margen
Anwendungsbereich
• Geeignet für DC/DC-Wandler in Energiemanagementsystemen
• Ideal für Motorantriebsstufen in industriellen Steuerungen
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Kann zum Schalten von Hochstromlasten in Telekommunikationsregalen verwendet werden
• Geeignet für Leistungsstufe-Implementierungen in Wechselrichtermodulen
• Ideal für Motorantriebsstufen in industriellen Steuerungen
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Kann zum Schalten von Hochstromlasten in Telekommunikationsregalen verwendet werden
• Geeignet für Leistungsstufe-Implementierungen in Wechselrichtermodulen
Welche Gehäusetyp wird verwendet und warum ist das relevant?
Er wird in einem kompakten TDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das Layouts mit niedriger Induktivität und eine effiziente Wärmeübertragung auf Board-Ebene ermöglicht.
Was sind die Umgebungsgrenzen für den Betrieb dieses Geräts?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in einem breiten Bereich von industriellen Temperaturbedingungen.
Wie viele Anschlüsse bietet das Gehäuse für die Leiterplattenverlegung?
Das Gerät verfügt über acht Pins zur Unterstützung von Strom- und Gate-/thermischen Verbindungen für eine robuste Leiterplatten-Integration.
Wie lautet die Kanalführung und der Modus für die Schaltungsentwicklung?
Es verwendet eine N-Kanal-Enhancement-Modus-Konfiguration, die für Low-Side- und synchrone Schalttopologien geeignet ist.
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