Toshiba Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 27 W, 3-Pin TJ8S06M3L TO-252

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RS Best.-Nr.:
171-2492
Herst. Teile-Nr.:
TJ8S06M3L
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

130mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Maximale Verlustleistung Pd

27W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

7 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.3mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
JP
Anwendungsbereich

Kfz

Motortreiber

DC/DC-Wandler

Schaltspannungsregler

Merkmale

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 80 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Niedriger Leckstrom: IDSS = –10 μA (max.) (VDS = -60V)

Verbesserungsmodus: Vth = -2,0 bis -3,0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

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