Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 6.5 A 3.7 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
180-7299
Herst. Teile-Nr.:
SI4946BEY-T1-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.052Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3.7W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.2nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Länge

5mm

Höhe

1.75mm

Breite

4 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Vishay MOSFET


Der Vishay SMD-Dual-N-Kanal-MOSFET ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 41 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen Dauerstrom von 6,5 A und eine maximale Nennleistung von 3,7 W. Es hat Anwendung in Lastschaltern für tragbare Geräte. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg-geprüft

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