onsemi NTMTS0D6N04CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 554.5 A 245.4 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 186-1287
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS0D6N04CLTXG
- Marke:
- onsemi
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- NTMTS0D6N04CLTXG
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 554.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NTMTS0D6N04CL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 660μΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 245.4W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 126nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Breite | 8 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 554.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NTMTS0D6N04CL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 660μΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 245.4W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 126nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Höhe 1.15mm | ||
Breite 8 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Nicht-konform
Kleine Stellfläche (8 x 8 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
Typische Anwendungen:
Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Vakuumsysteme
UAV/Drones, Materialtransport
BMS/Storage, Heimautomatisierung
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