onsemi NTMTS0D6N04CL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 554.5 A 245.4 W, 8-Pin DFN

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Herst. Teile-Nr.:
NTMTS0D6N04CLTXG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

554.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

NTMTS0D6N04CL

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

660μΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

245.4W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

126nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

8.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

8mm

Höhe

1.15mm

Automobilstandard

Nein

Nicht-konform

Kleine Stellfläche (8 x 8 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei

Typische Anwendungen:

Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Vakuumsysteme

UAV/Drones, Materialtransport

BMS/Storage, Heimautomatisierung

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