STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V Entleerung / 16 A 153 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-4778
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT20N120AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 202-4778
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- SCT20N120AG
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.52Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 153W | |
| Durchlassspannung Vf | 3.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Höhe | 15.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.52Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 153W | ||
Durchlassspannung Vf 3.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Höhe 15.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.7 mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbid in Kfz-Qualität hat eine sehr enge Variation des Einschaltwiderstands im Vergleich zu zurückgekehrt ist. Er verfügt über eine sehr hohe Betriebstemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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