Vishay SiJ462ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 39.3 A 22.3 W, 4-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 204-7214
- Herst. Teile-Nr.:
- SiJ462ADP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.1’827.00
Auf Lager
- 3’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.609 | CHF.1’830.15 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 204-7214
- Herst. Teile-Nr.:
- SiJ462ADP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 39.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SiJ462ADP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 22.3W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.14 mm | |
| Länge | 5.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 39.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SiJ462ADP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 22.3W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.14 mm | ||
Länge 5.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET hat einen sehr niedrigen Qg und Qoss, um Leistungsverluste zu reduzieren und die Effizienz zu verbessern. Die flexiblen Leitungen sorgen für Widerstandsfähigkeit gegen mechanische Belastungen.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
100 % Rg- und UIS-geprüft
Verwandte Links
- Vishay SiJ462ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 39.3 A 22.3 W, 4-Pin SiJ462ADP-T1-GE3 SO-8
- Vishay SiJ128LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 25.5 A 22.3 W, 4-Pin SO-8
- Vishay SiJ128LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 25.5 A 22.3 W, 4-Pin SiJ128LDP-T1-GE3 SO-8
- Vishay Si7164DP Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 104 W, 8-Pin SI7164DP-T1-GE3 PowerPAK
- Vishay Si7164DP Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay SI9634DY Zweifach N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 8 A, 8-Pin SO-8 SI9634DY-T1-GE3
- Vishay Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A, 8-Pin SI4534DY-T1-GE3 SO-8
- Vishay SiR870ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin SO-8