onsemi Power Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 150 A 46 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 205-2432
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS1D8N02P1E
- Marke:
- onsemi
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- 205-2432
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS1D8N02P1E
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | Power | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.2 mm | |
| Länge | 3.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie Power | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.2 mm | ||
Länge 3.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 0.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 25-V-N-Kanal-MOSFET der on Semiconductor Power33-Serie wird mit Advanced Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Der maximale Drain-Nennstrom beträgt 150 A.
Der Widerstand zwischen Ablass und Quelle beträgt 1,3 MOhm
Kleine Abmessungen für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
100 % UIL-geprüft
Gehäuse ist Power 33 (PQFN8)
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