DiodesZetex Doppelt DMC3060 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.6 A 1.16 W, 6-Pin TSOT
- RS Best.-Nr.:
- 206-0061
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3060LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOT | |
| Serie | DMC3060 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.16W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Breite | 1.6 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOT | ||
Serie DMC3060 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.16W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Breite 1.6 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der komplementäre 30-V-MOSFET für DiodesZetex-MOSFET mit paarweisen Anreicherungstyp wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Die Gate-Quellspannung beträgt 12 V mit einer thermischen Verlustleistung von 0,8 W.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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