DiodesZetex Doppelt DMC3060 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.6 A 1.16 W, 6-Pin TSOT

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

CHF.7.075

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 +CHF.0.283CHF.6.97

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
206-0061
Herst. Teile-Nr.:
DMC3060LVT-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TSOT

Serie

DMC3060

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.16W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.6nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Höhe

0.9mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der komplementäre 30-V-MOSFET für DiodesZetex-MOSFET mit paarweisen Anreicherungstyp wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Die Gate-Quellspannung beträgt 12 V mit einer thermischen Verlustleistung von 0,8 W.

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Verwandte Links