Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 210-4981
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG11N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.2.394 | CHF.59.72 |
| 50 - 100 | CHF.2.247 | CHF.56.15 |
| 125 + | CHF.2.027 | CHF.50.77 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-4981
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG11N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 391mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 15.5 mm | |
| Länge | 45.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 391mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 15.5 mm | ||
Länge 45.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie hat den Gehäusetyp TO-247AC mit einer Konfiguration.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Ziss)
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Lawinenenergie (UIS)
Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz
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