Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 64 A 46 W, 8-Pin SuperSO

RS Best.-Nr.:: 214-4322
Herst. Teile-Nr.:: BSC065N06LS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 64 A 46 W, 8-Pin SuperSO

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 214-4322
Herst. Teile-Nr.:: BSC065N06LS5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	64A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	OptiMOS
	Gehäusegröße	SuperSO
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	9.2mΩ
	Channel-Modus	N
	Maximale Verlustleistung Pd	46W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	10nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.2mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.1mm
	Länge	5.35mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie OptiMOS
	Gehäusegröße SuperSO
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.2mΩ
	Channel-Modus N
	Maximale Verlustleistung Pd 46W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.2mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.1mm
	Länge 5.35mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC065N06LS5ATMA1

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 64 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC065N06LS5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Halbleitergerät, das für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen und wird in einem 8-poligen SuperSO-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für dichte Leiterplattenlayouts geeignet ist. Das Gerät unterstützt Mittelspannungs-Leistungsumwandlungsaufgaben, bei denen schnelles Schalten und geringe Leitungsverluste erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 9.2 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 64 A ermöglicht die Handhabung schwerer Lasten
• Die Drain-Source-Nennspannung von 60 V unterstützt Mittelspannungssysteme
• Gate-Charge 10 nC ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 46 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsübertragung
• Gate-Source-Beständigkeit von 20 V für gängige Gate-Drive-Spannungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für Motorantriebsstufen in industriellen Steuerungen
• Wird mit Batteriemanagement-Schaltkreisen für Hochstromschaltungen verwendet
• Kann für DC/DC-Wandler in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Geeignet für Server- und Computer-Leistungsregelungsplatinen

Welchen thermischen Extremen kann er während des Betriebs standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz sowohl in Umgebungen mit Kaltstart als auch mit hohen Temperaturen.

Wie unterstützt das Gehäuse die Leiterplattenmontage und das Layout?

Das oberflächenmontierbare SuperSO-Format mit einer 8-poligen Grundfläche erleichtert die automatische Platzierung und konservative Wärmewege für die Kühlung von Lötplatten.

Welches Schaltverhalten können Entwickler bei Gate-Antrieben erwarten?

Mit einer typischen Gate-Ladung von 10 nC sind Schaltübergänge schnell und die Gate-Treiber-Stromanforderungen für die meisten Treiber-ICs moderat.

Wie eignet sich das Gerät für Hochstromanwendungen auf kompakten Leiterplatten?

Die Kombination aus einer Dauerstrombelastbarkeit von 64 A und einem geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand ermöglicht es Entwicklern, erhebliche Stromstärken auf begrenztem Platzangebot auf der Leiterplatte zu liefern und gleichzeitig I2R-Verluste zu begrenzen.